Общефизический научный семинар 09.12.2020
Добавлено: 28 ноя 2020, 23:04
В среду, 9 декабря, в 17:00, состоится очередной общефизический научный семинар.
Докладчик – Дмитрий Ремович Хохлов, д. ф.-м.н., член-корреспондент РАН, профессор МГУ, Заведующий кафедрой общей физики и физики конденсированного состояния МГУ.
Семинар продет в он-лайн формате по ссылке: https://zoom.us/j/94173704688.
Нелокальная терагерцовая фотопроводимость в гетероструктурах на основе топологической фазы Hg1-xCdxTe
Д.Р. Хохлов
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова
ФИАН им. П.Н. Лебедева РАН
В докладе представлены результаты по нелокальной терагерцовой фотопроводимости в толстых эпитаксиальных пленках Hg1-xCdxTe с инвертированным энергетическим спектром (x <~ 0.16). В работе прямо продемонстрировано существование нелокальной компоненты терагерцового фотоответа в толстых эпитаксиальных пленках Hg1-xCdхTe в магнитном поле. Знак нелокального фотоответа зависит от положения потенциального зонда и направления магнитного поля, что указывает на киральность индуцированного неравновесного транспорта. Наблюдаемые нетривиальные особенности фототранспорта можно интерпретировать как проявление образования концевого кирального краевого проводящего канала в топологической фазе сплавов Hg1-xCdхTe. Мы обсуждаем результаты в терминах качественной модели, которая учитывает сосуществование объемного транспортного и граничного проводящих каналов.
Докладчик – Дмитрий Ремович Хохлов, д. ф.-м.н., член-корреспондент РАН, профессор МГУ, Заведующий кафедрой общей физики и физики конденсированного состояния МГУ.
Семинар продет в он-лайн формате по ссылке: https://zoom.us/j/94173704688.
Нелокальная терагерцовая фотопроводимость в гетероструктурах на основе топологической фазы Hg1-xCdxTe
Д.Р. Хохлов
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова
ФИАН им. П.Н. Лебедева РАН
В докладе представлены результаты по нелокальной терагерцовой фотопроводимости в толстых эпитаксиальных пленках Hg1-xCdxTe с инвертированным энергетическим спектром (x <~ 0.16). В работе прямо продемонстрировано существование нелокальной компоненты терагерцового фотоответа в толстых эпитаксиальных пленках Hg1-xCdхTe в магнитном поле. Знак нелокального фотоответа зависит от положения потенциального зонда и направления магнитного поля, что указывает на киральность индуцированного неравновесного транспорта. Наблюдаемые нетривиальные особенности фототранспорта можно интерпретировать как проявление образования концевого кирального краевого проводящего канала в топологической фазе сплавов Hg1-xCdхTe. Мы обсуждаем результаты в терминах качественной модели, которая учитывает сосуществование объемного транспортного и граничного проводящих каналов.